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| Artikelnummer: | STB18NM80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.2379 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 8.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB18 |
| STB18NM80 Einzelheiten PDF [English] | STB18NM80 PDF - EN.pdf |




STB18NM80
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der STB18NM80 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 800 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 17 A bei 25 °C. Er gehört zur MDmesh™-Serie und nutzt die MOSFET-Technologie (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
– Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25 °C: 17 A
– On-Widerstand (Rds(on)) bei 8,5 A, 10 V: 295 mΩ
– Gate-Threshold-Spannung (Vgs(th)) bei 250 μA: 5 V
– Gate-Ladung (Qg) bei 10 V: 70 nC
– Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): ± 25 V
– Eingangskapazität (Ciss) bei 50 V: 2070 pF
– Hohe Drain-Source-Spannung und Strombelastbarkeit
– Geringer On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
– Eignet sich für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen
– Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
– 2 Anschlüsse + Kühlkörper
– Oberflächenmontage (SMD)
– Das STB18NM80 ist ein aktives Produkt.
– Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
– Schaltnetzteile
– Motoransteuerungen
– Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STB18NM80 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
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