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| Artikelnummer: | STB18NM80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.2379 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 8.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB18 |
| STB18NM80 Einzelheiten PDF [English] | STB18NM80 PDF - EN.pdf |




STB18NM80
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der STB18NM80 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 800 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 17 A bei 25 °C. Er gehört zur MDmesh™-Serie und nutzt die MOSFET-Technologie (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
– Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25 °C: 17 A
– On-Widerstand (Rds(on)) bei 8,5 A, 10 V: 295 mΩ
– Gate-Threshold-Spannung (Vgs(th)) bei 250 μA: 5 V
– Gate-Ladung (Qg) bei 10 V: 70 nC
– Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): ± 25 V
– Eingangskapazität (Ciss) bei 50 V: 2070 pF
– Hohe Drain-Source-Spannung und Strombelastbarkeit
– Geringer On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
– Eignet sich für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen
– Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
– 2 Anschlüsse + Kühlkörper
– Oberflächenmontage (SMD)
– Das STB18NM80 ist ein aktives Produkt.
– Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
– Schaltnetzteile
– Motoransteuerungen
– Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STB18NM80 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
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