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| Artikelnummer: | STB14NM50N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1002 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 816 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB14 |
| STB14NM50N Einzelheiten PDF [English] | STB14NM50N PDF - EN.pdf |




STB14NM50N
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Der STB14NM50N ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh II-Serie. Er wurde für Hochleistungs- und Hochwirkungsanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
Sperrspannung (Drain-Source) von 500 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 12 A
Maximale On-Widerstand (RDS(on)) von 320 mΩ
Maximale Gate-Ladung von 27 nC
Hohe Effizienz durch niedrigen On-Widerstand
Geeignet für Hochleistungsund Hochspannungsanwendungen
Zuverlässige Leistung durch MDmesh II Technologie
Tapes and Reels (TR)
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
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