Deutsch
| Artikelnummer: | SGSD100 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN DARL 80V 25A TO247-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 80mA, 20A |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 130 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Frequenz - Übergang | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 500 @ 10A, 3V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 25 A |
| Grundproduktnummer | SGSD100 |
| SGSD100 Einzelheiten PDF [English] | SGSD100 PDF - EN.pdf |




SGS TO220
ST TO3P
PHOTO SEN RETRO 4M PNP
TW SMD
IGBT 600V 6A 22W TO220F
IGBT 600V 8A 35W TO220F
IGBT, 8A, 600V, N-CHANNEL
ST TO-220F
IGBT 1500V 10A 50W TO220F
IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
IGBT Modules
IGBT 600V 6A 22W TO220F
IGBT, 10A, 1500V, N-CHANNEL
Insulated Gate Bipolar Transisto
TRANS PNP DARL 80V 25A TO247-3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
SGSD100STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|