Deutsch
| Artikelnummer: | IPD30N03S4L14ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.7042 |
| 10+ | $0.6882 |
| 30+ | $0.6779 |
| 100+ | $0.6343 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-11 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.6mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 31W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPD30N03 |
| IPD30N03S4L14ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD30N03S4L14ATMA1 PDF - EN.pdf |




IPD30N03S4L14ATMA1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IPD30N03S4L14ATMA1 ist ein N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Serie von Infineon Technologies. Er ist für Leistungsmanagement-Anwendungen konzipiert und überzeugt durch hohe Effizienz und Leistungsfähigkeit.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 30A
Geringer On-Widerstand von 13,6 mΩ
Schnelle Switching-Geschwindigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Energieeffizienz
Hohe Leistungsdichte
Zuverlässige und robuste Leistung
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsmanagement-Anwendungen
Tape-and-Reel (TR) Verpackung
DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-252-3 Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD) Typ
Das IPD30N03S4L14ATMA1 ist ein aktiv beworbenes Produkt.
Es gibt vergleichbare und alternative Modelle. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen.
Netzteile
Motorantriebe
Beleuchtungsanwendungen
Industrielle Automation
Telekommunikation und Server-Stromversorgung
Das umfassendste Datenblatt für den IPD30N03S4L14ATMA1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
INFINEON TO-252
IPD30N03S4L-14 INFINEO
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
INFINEON TO-252
IPD30N03S2L-20 INFINEO
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD30N06 INFIN
INFINEON TO-252-2
IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies
IPD30N06S2-23 INFINEO
INFINEON TO-252
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
IPD30N03S4L14ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|