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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPB02N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB02N60S5ATMA1 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1

Artikelnummer: SPB02N60S5ATMA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
Datenblätte:
1.SPB02N60S5ATMA1.pdf ···

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  • Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 80µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2
    Serie CoolMOS™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
    Verlustleistung (max) 25W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Tc)
    Grundproduktnummer SPB02N
    SPB02N60S5ATMA1 Einzelheiten PDF [English] SPB02N60S5ATMA1 PDF - EN.pdf
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