Deutsch

| Artikelnummer: | S200-50 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $132.528 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 110V |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | 55HX |
| Serie | - |
| Leistung - max | 320W |
| Verpackung / Gehäuse | 55HX |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 12dB ~ 14.5dB |
| Frequenz - Übergang | 1.5MHz ~ 30MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 10 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 30A |
| S200-50 Einzelheiten PDF [English] | S200-50 PDF - EN.pdf |




S200-50
Y-IC ist ein hochwertiger Vertriebspartner für Microsemi-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der S200-50 ist ein Hochleistungs-Bipolar-RF-Transistor von Microsemi. Er ist konzipiert für den Einsatz in verschiedenen RF-Leistungsverstärkern, beispielsweise in Industrie, Forschung und Medizin.
- NPN-Bipolar-Transistor
- Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit (Max): 110 V
- Frequenzbereich: 1,5 MHz bis 30 MHz
- Verstärkung: 12 dB bis 14,5 dB
- Maximale Leistung: 320 W
- Gleichstromverstärkung (hFE) (Min): 10 bei Ic, Vce: 1A, 5 V
- Kollektorstrom (Ic) (Max): 30 A
- Betriebstemperatur: 150 °C (TJ)
- Gehäuse für montierte Platine (Chassis Mount)
- Hohe Leistungsfähigkeit
- Geeignet für eine breite Palette an RF-Leistungsverstärkern
- Zuverlässige und langlebige Leistung
- Gehäusetyp: 55HX
- Geräteverpackung: 55HX
Der S200-50 ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unsere Verkaufsabteilung über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
- Industrielle, wissenschaftliche und medizinische Geräte
- RF-Leistungsverstärker
Das offizielle technische Datenblatt für den S200-50 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden sollten es herunterladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr, um dieses zeitlich begrenzte Angebot zu nutzen.
WIRE TERMINAL
SLDR SLEEVE WIRE-WIRE 0.275/0.3"
SLDR SLV WIRE-WIRE 0.235/0.255"
S2000 SYNAPTICS
SLDR SLV WIRE-WIRE 0.235/0.255"
SLDR SLV WIRE-WIRE 0.235/0.255"
SLDR SLEEVE WIRE-WIRE 0.275/0.3"
S2000A3 TOSHIBA
1550 NM PM PLC SPLITTER MODULE(1
SYNAPTICS QFN
RF POWER TRANSISTOR
SLDR SLEEVE WIRE-WIRE 0.275/0.3"
1X4 PLANAR LIGHTWAVE CIRCUIT (PL
SLDR SLEEVE WIRE-WIRE 0.275/0.3"
S2000A TOSHIBA
S2000A3 #T N/A
SLDR SLEEVE WIRE-WIRE 0.275/0.3"
SLDR SLV WIRE-WIRE 0.235/0.255"
S2000A.80CM
S2000A #T N/A
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
S200-50Microsemi Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|