Deutsch

| Artikelnummer: | APT38F80B2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micrel / Microchip Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.3033 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1040W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8070 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 41A (Tc) |
| Grundproduktnummer | APT38F80 |
| APT38F80B2 Einzelheiten PDF [English] | APT38F80B2 PDF - EN.pdf |




APT38F80B2
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Produkte von Microchip Technology. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der APT38F80B2 ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-Leistung-MOSFET von Microchip Technology. Er ist Teil der POWER MOS 8™-Serie und wurde für eine breite Palette von industriellen Anwendungen sowie für Stromumwandlungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
800V Drain-Source-Spannung
Kontinuierlicher Drain-Strom von 41A bei 25°C
Niedriger On-Widerstand von 240 mΩ bei 20A, 10V
Großes Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hochspannungsund Hochstromfähigkeit
Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Robustes Design für industrielle Anwendungen
Geeignet für vielfältige Stromumwandlungsund Steuerungssysteme
Der APT38F80B2 ist in einer TO-247-3 Gehäusevariante des T-MAX™ [B2] Gehäuses verpackt. Er verfügt über eine Durchgangslochmontage und wird in einer Tube geliefert.
Der APT38F80B2 ist ein aktiv produziertes Bauteil. Derzeit sind keine direkten Ersatzmodelle oder Alternativen verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Webseite.
Industrielle Stromumwandlung
Motorsteuerungen
Schweißgeräte
Induktionsheizungen
Schaltende Netzteile
Das aktuellste und autoritativste Datenblatt für den APT38F80B2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen unseren Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Details zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Webseite Angebote für den APT38F80B2 anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
MOSFET N-CH 1000V 37A TO264
IGBT 600V 65A 290W TO-247
MOSFET N-CH 900V 36A TO247
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP
MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP
IGBT 600V 65A 290W TO-247
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
APT New
MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
MOSFET N-CH 500V 37A TO247
SICFET 700V 35A TO247-3
IGBT PT COMBI 600V 36A TO-268
MOSFET N-CH 800V 41A TO264
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/02/16
2024/05/16
2024/12/4
2025/01/26
APT38F80B2Microchip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|