Deutsch

| Artikelnummer: | RE1C002ZPMGTL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT3F (SOT-416FL) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-89, SOT-490 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 115 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |




RE1C002ZPMGTL
LAPIS Semiconductor
Der RE1C002ZPMGTL ist ein spezialisiertes integriertes Schaltkreis (IC) von LAPIS Semiconductor, das für anspruchsvolle Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.
Fortschrittliche Halbleitertechnologie
Optimiert für anspruchsvolle Einsatzzwecke
Kompaktes und effizientes Design
Überlegene Leistung und Zuverlässigkeit
Maßgeschneidert für spezifische Anwendungsanforderungen
Kosteneffiziente Lösung
EMT3F-Gehäuse
Oberflächenmontagetechnologie
Kompakte Größe und Pin-Konfiguration
Optimierte thermische und elektrische Eigenschaften
Der RE1C002ZPMGTL ist ein aktiviertes Produkt im Portfolio von LAPIS Semiconductor. Entsprechende oder alternative Modelle sind möglicherweise verfügbar. Kunden wird empfohlen, sich für die neuesten Informationen an unser Vertriebsteam über die Website zu wenden.
Industrielle Automatisierung
Telekommunikation
Medizinische Elektronik
Fahrzeugtechnik / Automobilindustrie
Das detaillierte Datenblatt für den RE1C002ZPMGTL ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um ausführliche technische Spezifikationen und Betriebsparameter zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den RE1C002ZPMGTL auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
ROHM EMT3F
ROHM EMT3F
RE1C002ZP ROHM
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
RE1L002SN TL ROHM
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
RE1E002SP ROHM
RE1C002UN ROHM
RE1E002SP TL ROHM
RE1C002ZP TL ROHM
RE1J002YN TL ROHM
RE1C002UN TCL ROHM
RE1J002YN TCL ROHM
RE1C001ZP TL ROHM
ROHM SOD523
RE1J002YN ROHM
RE1C002UN TL ROHM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/10/30
2024/04/27
2025/01/21
2024/11/13
RE1C002ZPMGTLRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|