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| Artikelnummer: | TPS2831DR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 4.5V ~ 15V |
| Supplier Device-Gehäuse | 14-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 50ns, 50ns |
| Verpackung / Gehäuse | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 28 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2.7A, 2.4A |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | TPS2831 |
| TPS2831DR Einzelheiten PDF [English] | TPS2831DR PDF - EN.pdf |




TPS2831DR
Texas Instruments
Der TPS2831DR ist ein Hochgeschwindigkeits- und Hochstrom-Doppel-N-Kanal-MOSFET-Gatetreiber. Er wurde entwickelt, um die Gates von zwei externen N-Kanal-Leistung-MOSFETs in einer Halbbrücken-Konfiguration zu treiben.
Dualer N-Kanal-MOSFET-Gatetreiber
Halbbrücken-Konfiguration
Hochgeschwindigkeitsund Hochstrombetrieb
Invertierende Eingangslogik
Effiziente Stromumwandlung
Zuverlässiger und robuster Betrieb
Einfache Integration in Stromversorgungsdesigns
Oberflächenmontagegehäuse, 14-SOIC (0,154" / 3,90 mm Breite)
Dieses Produkt wurde vom Hersteller (Digi-Key) eingestellt. Für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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