Deutsch
| Artikelnummer: | CSD19538Q2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.7151 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-WSON (2x2) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-WDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14.4A (Ta) |
| Grundproduktnummer | CSD19538 |
| CSD19538Q2 Einzelheiten PDF [English] | CSD19538Q2 PDF - EN.pdf |




CSD19538Q2
Texas Instruments. Y-IC ist ein Qualitätsdistributeur der Marke Texas Instruments und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der CSD19538Q2 ist ein hochleistungsfähiger, niederohmiger N-Kanal-MOSFET in einem kompakten 6-WSON (2x2) Gehäuse. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeiten aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungsmess-, Steuerungs- und Energiemanagementanwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Niedriger On-Widerstand: 59 mΩ bei 5A, 10V
Hoher Drain-Source-Spannungsbereich: 100V
Hoher Dauerstrom: 14,4A (Ta)
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Kompaktes Gehäuse für platzkritische Designs
Zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
6-WSON (2x2) Flachgehäuse für Oberflächenmontage
Exposed Pad für verbesserte thermische Performance
Der CSD19538Q2 ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie der CSD19538Q3 und CSD19538Q5. Kunden können unser Verkaufsteam über die Webseite kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
Stromversorgungsund Energiemanagementschaltungen
Motorsteuerungen
Schaltnetzteile
Industrielle und Automotive-Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den CSD19538Q2 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder informieren Sie sich über dieses Produkt!
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
SCREWDRIVER SET,2 PC,CUSHION GRI
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
P-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
TI VSONP-8
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
N-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
INDUSTRIAL LORAWAN OPERATED LOW
TI VSON-CLIP
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/01/13
2025/01/15
2025/07/22
2025/08/1
CSD19538Q2Texas Instruments |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|