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| Artikelnummer: | CSD19532KTT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $36.6266 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 90A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5060 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Ta) |
| Grundproduktnummer | CSD19532 |
| CSD19532KTT Einzelheiten PDF [English] | CSD19532KTT PDF - EN.pdf |




CSD19532KTT
Texas Instruments
Der CSD19532KTT ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der NexFET™-Serie von Texas Instruments. Er wurde für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung und Steuerung entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
100 V Drain-Source-Spannung
200 A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Maximale On-Widerstand von 5,6 mΩ bei 90 A und 10 V
Maximaler Gate-Ladestrom von 57 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte
Geringer On-Widerstand für reduzierte Leistungsverluste
Schnelles Schalten und niedrige Gate-Ladung für Hochfrequenzbetrieb
Zuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich
Tafeln & Reel (TR) Verpackung
Oberflächenmontagegehäuse TO-263 (DDPAK-3)
Optionen mit 4 Anschlüssen im TO-263-4, D2PAK (3 Anschlüsse + Anschlussfahne) oder TO-263AA Gehäuse
Der CSD19532KTT ist ein aktivierter Baustein
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie z.B. CSD19533KTT und CSD19534KTT
Für weitere Informationen zu Alternativen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam
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Wechselrichter
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Das jeweils aktuelle Datenblatt für den CSD19532KTT ist auf der Website von Texas Instruments verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden ermutigt, ein Angebot für den CSD19532KTT auf unserer Webseite anzufordern. Klicken Sie auf den Button ‚Angebot anfordern‘, um zu starten.
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