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| Artikelnummer: | LTC4449EDCB#TRMPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Analog Devices Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $170.68 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 4V ~ 6.5V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-DFN (2x3) |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 8ns, 7ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 3V, 6.5V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 42 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 3.2A, 4.5A |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | LTC4449 |
| LTC4449EDCB#TRMPBF Einzelheiten PDF [English] | LTC4449EDCB#TRMPBF PDF - EN.pdf |




LTC4449EDCB#TRMPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke Analog Devices. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der LTC4449EDCB#TRMPBF ist ein Hochstrom-, Hochseitentreiber mit N-Kanal-MOSFET-Gate für die Anwendung in Halbbrücken. Er verfügt über zwei unabhängige Ausgangskanäle und ist speziell für die Ansteuerung von N-Kanal-LeistungsmOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt.
Zwei unabhängige Ausgangskanäle
Hochseitentreiber mit Bootstrap-Spannungsversorgung
Weitspannungsbereich von 4V bis 6,5V
Logikpegel kompatibel mit 3V und 6,5V
Maximale Ausgangsströme: 3,2A Quelle, 4,5A Senke
Anstiegszeit: 8ns, Abfallzeit: 7ns
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 125°C
Effizienter Halbbrücken-Treiber für die Energieumwandlung
Vereinfacht das Gate-Drive-Design
Geeignet für eine breite Palette von LeistungsmOSFETs und IGBTs
Robuste Leistungsfähigkeit über den gesamten Temperaturbereich
Der LTC4449EDCB#TRMPBF ist in einem platzsparenden 8-WFDFN-Gehäuse mit exposed pad für die Oberflächenmontage verpackt. Die kompakte Bauform und die thermischen Eigenschaften machen ihn ideal für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
Der LTC4449EDCB#TRMPBF ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, beispielsweise der LTC4449ICDCB#PBF und LTC4449ICDC#PBF. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
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Das umfassendste technische Datenblatt für den LTC4449EDCB#TRMPBF steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen unseren Kunden, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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