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| Artikelnummer: | RS6L090BGTB1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.8313 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 90A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 73W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |




RS6L090BGTB1
ROHM Semiconductor ist ein hochwertiger Halbleiterhersteller, den Y-IC stolz vertreibt. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der RS6L090BGTB1 ist ein 60 V, 90 A N-Kanal MOSFET in einem 8-PowerTDFN-Gehäuse. Er zeichnet sich durch geringen On-Widerstand und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für eine Vielzahl von Hochleistungs- und Effizienz-Anwendungen perfekt macht.
60 V Drain-Source-Spannung
90 A Dauer-Drain-Strom
Geringer On-Widerstand von 4,7 mΩ
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
8-PowerTDFN-Gehäuse
Hohe Energieeffizienz
Kompaktes, platzsparendes Design
Zuverlässige Leistung in Hochleistungsanwendungen
Spendercode und Wickel (Tape and Reel)
8-PowerTDFN-Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Das RS6L090BGTB1 ist ein aktives Produkt, eine Einstellung ist derzeit nicht geplant. Es gibt keine direkten Alternativen oder Äquivalente, jedoch kann das Verkaufsteam kontaktiert werden, um weitere Informationen zu ähnlichen Hochleistungs-MOSFETs zu erhalten.
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Das neueste Datenblatt für den RS6L090BGTB1 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für vollständige technische Details herunterzuladen.
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