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| Artikelnummer: | SM6K2T110 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1565 |
| 200+ | $0.0625 |
| 500+ | $0.0605 |
| 1000+ | $0.0594 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SMT6 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 200mA, 10V |
| Leistung - max | 300mW |
| Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | SM6K2 |
| SM6K2T110 Einzelheiten PDF [English] | SM6K2T110 PDF - EN.pdf |




SM6K2T110
Y-IC ist ein hochwertiger Händler von Produkten von ROHM Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SM6K2T110 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er verfügt über eine Logik-Ebene-Gate-Steuerung und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energieverwaltung.
2 N-Kanal-MOSFET-Konfigurationen
Gate auf Logik-Ebenen
Drain-Source-Spannung von 60V
Dauerhafter Drain-Strom von 200mA
Maximale On-Widerstand von 2,4Ω
Maximaler Gate-Schwellenspannung von 2,5V
Maksimaler Gate-Ladungswert von 4,4nC
Maximaler Eingangskapazität von 15pF
Maximaler Leistungdissipation von 300mW
Maximale Junction-Temperatur von 150°C
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Geeignet für Energieverwaltungsund Schaltanwendungen
Zuverlässige MOSFET-Leistung in platzsparender Bauform
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
Oberflächenmontagegehäuse SC-74, SOT-457
SMT6-Gehäuse
Der SM6K2T110 ist nicht für neue Designs vorgesehen. Es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, unser Verkaufsteam über unsere Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
Stromversorgungssteuerungen
Schaltanwendungen
Allgemeine Leistungssteuerung
Das offiziellste Datenblatt für den SM6K2T110 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für vollständige Produktspezifikationen und technische Details herunterzuladen.
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PROTOTYPE
TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC SMB
TVS SMD 110V 600W Uni-direction
TVS SMD 130V 600W Uni-direction
SM6K2 ROHM
TVS SMD 110V 600W Bi-directiona
PROTOTYPE
TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC SMB
TVS SMD 130V 600W Uni-direction
TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC SMB
TOSHIBA TO-220
PROTOTYPE
ROHM SOT163
TOSHIBA TO220F
SM6K2 T110 ROHM
TVS SMD 110V 600W Bi-directiona
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TVS SMD 110V 600W Uni-direction
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SM6K2T110Rohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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