Deutsch
| Artikelnummer: | SH8K26GZ0TB1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4854 |
| 200+ | $0.1876 |
| 500+ | $0.1817 |
| 1000+ | $0.1787 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 6A, 10V |
| Leistung - max | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 5V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | SH8K26 |
| SH8K26GZ0TB1 Einzelheiten PDF [English] | SH8K26GZ0TB1 PDF - EN.pdf |




SH8K26GZ0TB1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von ROHM Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SH8K26GZ0TB1 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 40V und einem Dauer-Drain-Strom von 6A bei 25°C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand von 38mΩ sowie eine Gate-Schwellen-Spannung von 2,5V aus.
Dual-N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 40V
Dauer-Drain-Strom von 6A bei 25°C
Niedriger Einschaltwiderstand von 38mΩ
Gate-Schwellen-Spannung von 2,5V
Effiziente Leistungssteuerung
Geringer Stromverbrauch
Zuverlässige Leistung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Rollenund Streifenverpackung (Tape and Reel, TR)
8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90mm Breite)
Oberflächenmontage (SMD)
8-SOP-Gehäuse für Zulieferer
Der SH8K26GZ0TB1 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Stromversorgungsschaltungen
Motorsteuerung
Schaltanwendungen
Industrielle Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den SH8K26GZ0TB1 steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, dieses für detaillierte Produktinformationen zu nutzen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SH8K26GZ0TB1 auf unserer Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Sonderkonditionen zu profitieren.
SH8K26 GZ0TB ROHM
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
SH8K26 ROHM
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
ROHM SOP8
ROHM SOP8P
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
SH8K25 ROHM
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEX
SH8K32TB R
40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
SH8K32 Rohm
VBSEMI SOIC-8
SH8K2TB R
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
VBSEMI SOP-8
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/1
2025/01/24
2024/09/10
2025/01/9
SH8K26GZ0TB1Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|