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| Artikelnummer: | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $27.6903 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-268 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Verlustleistung (max) | 44W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SCT2H12 |
| SCT2H12NYTB Einzelheiten PDF [English] | SCT2H12NYTB PDF - EN.pdf |




SCT2H12NYTB
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von Rohm Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SCT2H12NYTB ist ein Hochspannungs- und Hochleistungs-N-Kanal-Siliziumkarbid-(SiCFET)-MOSFET von Rohm Semiconductor. Er zeichnet sich durch eine hohe Drain-Source-Spannung, geringe On-Widerstände und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn ideal für verschiedenste Leistungswandlungs- und Steuerungsanwendungen macht.
N-Kanal SiCFET-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 1700V
Dauerhafter Drain-Strom von 4A bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 1,5Ω bei 1,1A, 18V
Schnelle Schaltzeiten
Gate-Source-Spannungsbereich von +22V/-6V
Hohe Spannungsfestigkeit
Geringer Energieverlust
Effiziente Stromumwandlung
Zuverlässige Leistung
Kompaktes und leichtes Design
Der SCT2H12NYTB ist in einem TO-268-3 Gehäuse (D³Pak, 2 Anschlussleitungen + Tab) für die Oberflächenmontage verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistung, ideal für Hochleistungsanwendungen.
Das Produkt SCT2H12NYTB ist aktiv erhältlich. Es gibt keine direkten Gleich- oder Alternativmodelle, jedoch können Kunden unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website für weitere Informationen zu Alternativen kontaktieren.
Energieumwandlung und Steuerung
Wechselrichter
Motorsteuerungen
Erneuerbare Energien
Industrielle Geräte
Automotive-Elektronik
Das offizielle und umfangreichste Datenblatt für den SCT2H12NYTB ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SCT2H12NYTB auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot für die besten Preise und Verfügbarkeiten.
CMC 120UH 27A 2LN TH AEC-Q200
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2025/06/30
SCT2H12NYTBRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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