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| Artikelnummer: | SCT2450KEC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1200V 10A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.1234 |
| 200+ | $1.9826 |
| 500+ | $1.9138 |
| 1000+ | $1.8794 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 3A, 18V |
| Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 463 pF @ 800 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 18 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SCT2450 |
| SCT2450KEC Einzelheiten PDF [English] | SCT2450KEC PDF - EN.pdf |




SCT2450KEC
ROHM Semiconductor ist ein renommierter Hersteller, und Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von ROHM-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SCT2450KEC ist ein Hochleistungs-N-Kanal-SiCFET (Siliciumkarbid-Feldeffekttransistor) mit einer Drain-Source-Spannung von 1200 V und einem Dauer-Drainstrom von 10 A bei 25°C. Entwickelt für den Einsatz in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungssystemen.
N-Kanal-SiCFET-Technologie
1200 V Drain-Source-Spannung
10 A Dauer-Drainstrom bei 25°C
Geringe On-Widerstände (585 mΩ bei 3 A, 18 V)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hohe Betriebstemperaturen bis zu 175°C
Verbesserte Effizienz und Leistungsdichte im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs
Reduzierte Schaltund Leitungseinbußen
Kompaktes Design und vereinfachte Kühlanforderungen
Zuverlässige Leistung bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen
Der SCT2450KEC ist in einem TO-247-3 Durchsteckgehäuse verpackt, das gute thermische Eigenschaften und elektrische Parameter für Hochleistungsanwendungen bietet.
Das SCT2450KEC ist ein veraltetes Produkt, und es können Ersatzmodelle verfügbar sein. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über die Website für weitere Informationen zu aktuellen Produkten zu kontaktieren.
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Elektrofahrzeuge
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Das aktuellste Datenblatt für den SCT2450KEC ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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