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| Artikelnummer: | SCT2120AFC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 650V 29A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $29.5591 |
| 200+ | $11.7954 |
| 500+ | $11.4006 |
| 1000+ | $11.2053 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 3.3mA |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
| Verlustleistung (max) | 165W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 500 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 29A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SCT2120 |
| SCT2120AFC Einzelheiten PDF [English] | SCT2120AFC PDF - EN.pdf |




SCT2120AFC
ROHM Semiconductor ist ein führender Hersteller innovativer Halbleiterlösungen. Y-IC ist ein qualifizierter Händler von ROHM-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SCT2120AFC ist ein 650 V, 29 A N-Kanal Siliziumkarbid (SiCFET) MOSFET von ROHM Semiconductor. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und hohe Schaltgeschwindigkeit aus, wodurch er ideal für Anwendungen in der Leistungsumwandlung und Motorsteuerung ist.
650 V Drain-Source-Spannung
29 A Dauer-Drain-Strom
Niedriger On-Widerstand von 156 mΩ bei 10 A, 18 V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Siliziumkarbid (SiC) Technologie
Hohe Effizienz und geringere Energieverluste
Kompaktes und leichtes Design
Verbesserte Zuverlässigkeit und thermische Leistung
Geeignet für Hochspannungsund Hochleistungsanwendungen
Der SCT2120AFC ist in einem standardisierten TO-220AB Steckplatzgehäuse verpackt. Er verfügt über eine 3-Pin-Konfiguration und ist für verschiedene Montage- und Wärmeableitungsanforderungen geeignet.
Der SCT2120AFC ist derzeit nicht mehr erhältlich. ROHM Semiconductor bietet jedoch mehrere gleichwertige oder alternative SiC-MOSFET-Modelle an, die als Ersatz geeignet sind. Kunden werden empfohlen, sich an unser Vertriebsteam zu wenden, um weiterführende Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Elektrofahrzeuge
Erneuerbare Energiesysteme
Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den SCT2120AFC ist auf der Website von Y-IC verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SCT2120AFC oder alternative SiC-MOSFET-Modelle auf der Website von Y-IC anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder informieren Sie sich über unsere hochwertigen Produkte und Dienstleistungen von ROHM Semiconductor.
SCT SOP-16
ROHM TO-247
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
SCT2110CSSG SCT
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
DIODE N-CH 1200V 40A TO-247AC
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