Deutsch
| Artikelnummer: | RXH070N03TB1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3846 |
| 200+ | $0.1535 |
| 500+ | $0.1484 |
| 1000+ | $0.1458 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.4W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RXH070 |
| RXH070N03TB1 Einzelheiten PDF [English] | RXH070N03TB1 PDF - EN.pdf |




RXH070N03TB1
ROHM Semiconductor ist ein Qualitätsanbieter dieses Markenprodukts. Y-IC stellt Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen zur Verfügung.
Der RXH070N03TB1 ist ein einziger N-Kanal-LeistungsmOSFET in einem 8-SOIC-Flachgehäuse. Er ist für eine Vielzahl von Leistungs-Schalt- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
N-Kanal-LeistungsmOSFET
30V Drain-Source-Spannung
7A Dauer-Drain-Strom
Max. On-Widerstand von 28mΩ
Max. Gate-Ladung von 5,8nC
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
Niedriger On-Widerstand für effizientes Leistungs-Schalten
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Kompaktes Gehäusedesign für platzsparende Konstruktionen
Robuste Bauweise für zuverlässigen Betrieb
8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) Flachgehäuse
Lieferoptionen: Cut Tape (CT) und Digi-Reel®
Geeignet für automatische Bestückung
Dieses Produkt ist derzeit aktiv
Entsprechende oder alternative Modelle:
- RXH072N03TB1
- RXH075N03TB1
Kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen
Leistungs-Schaltund Steuerkreise
Motorantriebe
Stromversorgungen
Wechselrichter
Batteriesysteme
Das aktuellste Datenblatt für den RXH070N03TB1 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Holen Sie noch heute ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
VBSEMI SOP-8
RXH070N03TB ROHM
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
RXH090N03TB ROHM
ROHM SOP-8
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
TSC SOD-123
R SOP8
GT 2C 2#12 SKT PLUG
GT 14C 4#16, 10#12 SKT PLUG
SWITCH SNAP ACTION SPDT 6A 120V
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
VBSEMI SOP-8
ROHM SOP8
RES 127 OHM 0.5% 1/10W 0402
RXH100N03TB ROHM
VBSEMI SOP-8
RXH125N03TB ROHM
RES 3.92K OHM 1% 1W 2512
ROHM SOP8
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
RXH070N03TB1Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|