Deutsch

| Artikelnummer: | RTQ020N03TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.0588 |
| 50+ | $0.0573 |
| 150+ | $0.0563 |
| 500+ | $0.0553 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT6 (SC-95) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.25W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RTQ020 |
| RTQ020N03TR Einzelheiten PDF [English] | RTQ020N03TR PDF - EN.pdf |




RTQ020N03TR
Y-IC ist ein Qualitäts distributors von ROHM Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RTQ020N03TR ist ein N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Es handelt sich um eine Oberflächenmontage-Komponente im SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Gehäuse.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 2A
Maximale On-Widerstand von 125mOhm
Maximaler Gate-Ladung von 3,3nC
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +150°C
Effizientes Energiemanagement
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Zuverlässige Leistung bei extremen Temperaturen
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Gehäuse
Kompakte Bauform für raumbegrenzte Anwendungen
Dieses Produkt ist derzeit aktiv und verfügbar.
Entsprechende oder alternative Modelle: Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Stromversorgungsund Managementschaltungen
Schaltanwendungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das aktuellste Datenblatt für den RTQ020N03TR ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den RTQ020N03TR auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
VBSEMI TSMT6
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
RTQ020N05FRA ROHM
ROHM TSMT6
ROHM SOT23-6
ROHM SOT23-6
RTQ025P02 TR ROHM
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
ROHM SOT163
RTQ025P02-TL ROHM
ROHM SOT-23
ROHM/CCS TSMT6
RTQ020N05 R
RTQ020N03 ROHM
RTQ025P02 ROHM
ROHM SOT-163
RTQ020N03 TR ROHM
RTQ025P02FRA ROHM
RTQ025P02 TL ROHM
RTQ020N05 TR ROHM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/04/27
2025/01/15
2024/04/13
2025/06/16
RTQ020N03TRRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|