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| Artikelnummer: | RQ3E180AJTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.7789 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4290 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
| Grundproduktnummer | RQ3E180 |
| RQ3E180AJTB Einzelheiten PDF [English] | RQ3E180AJTB PDF - EN.pdf |




RQ3E180AJTB
Rohm Semiconductor
Der RQ3E180AJTB ist ein N-Kanal-MOSFET in Gehäuse PowerVDFN. Er zeichnt sich durch einen geringen On-Widerstand aus und kann eine Dauerstrombelastung von bis zu 18 A stemmen.
N-Kanal-MOSFET, geringer On-Widerstand, maximale Dauerstrombelastung von 18 A
Effiziente Leistungssteuerung, Kompaktes PowerVDFN-Gehäuse, Zuverlässige Performance
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung, PowerVDFN-Gehäuse mit 8 Pins, Oberflächenmontage-Design
Das RQ3E180AJTB ist ein aktives Produkt. Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar: RQ3E160AJTB, RQ3E200AJTB. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Website.
Netzteile, Motorsteuerungen, Industrieelektronik
Das offizielle Datenblatt für den RQ3E180AJTB ist auf unserer Website erhältlich. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
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RQ3E160AD QQ2850920316
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ROHM DFN-83.3X3.3
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RQ3E150MNFU7TB1 ROHM
RQ3E180BN QQ2850920316
NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
ROHM DFN
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
RQ3E160ADM6 ROHM/
RQ3G100GN ROHM
RQ3E180GN QQ2850920316
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MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
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RQ3E180AJTBRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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