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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelR8008ANX
Rohm Semiconductor
R8008ANX Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Rohm Semiconductor R8008ANX

Artikelnummer: R8008ANX
Hersteller / Marke: LAPIS Technology
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
Datenblätte:
1.R8008ANX.pdf ···

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  • Versandinformationen
  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Rohm Semiconductor R8008ANX technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor R8008ANX .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
    Vgs (Max) ±30V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-220FM
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.03Ohm @ 4A, 10V
    Verlustleistung (max) 50W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack
    Paket Bulk
    Betriebstemperatur 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)
    Grundproduktnummer R8008
    R8008ANX Einzelheiten PDF [English] R8008ANX PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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    2026/04/20

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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

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    2026/03/31

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    2026/03/23

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