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| Artikelnummer: | IPB04N03LA |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 60µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 107W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3877 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB04N |
| IPB04N03LA Einzelheiten PDF [English] | IPB04N03LA PDF - EN.pdf |




IPB04N03LA
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IPB04N03LA ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Serie von Infineon Technologies. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement und Steuerung ausgelegt.
N-Kanal-MOSFET
25V Drain-Source-Spannung
80A Dauerbelastungsstrom
Maximale On-Widerstand von 3,9 mΩ
Maximale Gatespannung von 32 nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragender On-Widerstand für geringe Leistungsaufnahme
Schnelle Schaltzeiten für effiziente Energieumwandlung
Robustes Design für zuverlässigen Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Gehäuseboden), TO-263AB-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Der IPB04N03LA ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, unser Vertriebsteam über unsere Website zu kontaktieren, um Informationen zu Äquivalenten oder Alternativmodellen zu erhalten.
Leistungsmanagement
Motorsteuerung
Wechselrichter
Industrielle Automatisierung
Fahrzeugtechnik / Automotive Electronics
Das wichtigste Datenblatt für den IPB04N03LA ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IPB04N03LA auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IPB049NE7N3G INF
VBSEMI TO-263
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
IPB050N06N G INFINEON
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
INFINEON P-TO263-3-2
IPB04CN10NG INFINEON
IPB04N03LBG VB
IPB049NE7N3 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
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