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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMB3T2R
Rohm Semiconductor
EMB3T2R Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Rohm Semiconductor EMB3T2R

Artikelnummer: EMB3T2R
Hersteller / Marke: LAPIS Technology
Teil der Beschreibung.: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Datenblätte:
1.EMB3T2R.pdf ···

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  • Rohm Semiconductor EMB3T2R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor EMB3T2R .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
    VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
    Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    Supplier Device-Gehäuse EMT6
    Serie -
    Widerstand - Emitterbasis (R2) -
    Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms
    Leistung - max 150mW
    Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Paket Tape & Reel (TR)
    Befestigungsart Surface Mount
    Frequenz - Übergang 250MHz
    DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
    Strom - Collector Cutoff (Max) -
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
    Grundproduktnummer EMB3T2
    EMB3T2R Einzelheiten PDF [English] EMB3T2R PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
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    2026/02/3

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