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| Artikelnummer: | KHB1D9N60D-RTF/P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | KEC |
| Teil der Beschreibung.: | KEC TO-252 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| KHB1D9N60D-RTF/P Einzelheiten PDF [English] | KHB1D9N60D-RTF/P PDF - EN.pdf |




KHB1D9N60D-RTF/P
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von KEC-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der KHB1D9N60D-RTF/P ist ein spezieller Hochleistungs-IGBT von KEC, entwickelt für Hochleistungsanwendungen.
600V N-Kanal Power-MOSFET
Gehäuse: TO-252
Niedrige On-Widerstände
Hervorragende thermische Leistungsfähigkeit
Hohe Strombelastbarkeit
Zuverlässig und langlebig
Gehäuse: TO-252
Material: Kunststoff
Elektrische Eigenschaften: 600V, N-Kanal Power-MOSFET
Der KHB1D9N60D-RTF/P ist ein aktives Produkt. Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Hochleistungs-Schaltanwendungen
Industrieanlagen
Automobiltechnik
Das offizielle Datenblatt für den KHB1D9N60D-RTF/P ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
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KEC TO-252
KEC to251
KEC TO-251
CAP CER RAD DISC
KEC TO-252
CAP CER RAD DISC
CAP CER RAD DISC
CAP CER RAD DISC
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