Deutsch
| Artikelnummer: | IXTP3N120 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.611 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 200W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXTP3 |
| IXTP3N120 Einzelheiten PDF [English] | IXTP3N120 PDF - EN.pdf |




IXTP3N120
IXYS Corporation – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von IXYS-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXTP3N120 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von IXYS Corporation. Er wurde für eine Vielzahl von Leistungs- und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt.
Hochspannungs-MOSFET mit einer Sperrspannung von 1200V, niedriger On-Widerstand von 4,5 Ohm bei 500mA und 10V, unterstützt Dauer-Drain-Strom von 3A bei 25°C, Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C.
Ausgezeichnete Leistung bei Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen, geringe Verluste durch niedrigen On-Widerstand, zuverlässiger Betrieb über einen weiten Temperaturbereich, ideal für Stromumwandlung, Motorsteuerung und industrielle Anwendungen.
Gehäuse: TO-220AB, Ummantelung: Tube, Pin-Konfiguration: 3-poliger Durchstecker, Thermische Eigenschaften: Maximale Leistungsabgabe von 200W bei Tc, Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) von 1200V.
Der IXTP3N120 ist ein aktives Produkt und befindet sich nicht in der Auslaufphase. Es sind einige Ersatzmodelle erhältlich, aber Kunden sollten unser Verkaufsteam für detaillierte Informationen kontaktieren.
Stromumwandlung und Steuerung, Motorantriebe, Industrie- und Gewerberelektronik, Haushaltsgeräte und Weißwaren.
Das aktuellste Datenblatt für den IXTP3N120 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für vollständige technische Details herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IXTP3N120 auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und weitere Lösungen von IXYS.
IXYS TO-220
MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB
MOSFET N-CH 250V 42A TO220AB
MOSFET N-CH 150V 38A TO220AB
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
IXYS TO-220
MOSFET N-CH 40V 340A TO220AB
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220AB
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
MOSFET N-CH 150V 44A TO220AB
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
IXTP3N80 IXYS
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
IXTP3N120IXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|