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| Artikelnummer: | IXTH10N100D2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1000V 10A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.3973 |
| 210+ | $1.7543 |
| 510+ | $1.6961 |
| 990+ | $1.667 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 (IXTH) |
| Serie | Depletion |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 695W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5320 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | Depletion Mode |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXTH10 |
| IXTH10N100D2 Einzelheiten PDF [English] | IXTH10N100D2 PDF - EN.pdf |




IXTH10N100D2
IXYS. Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Marke IXYS und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXTH10N100D2 ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-Depletion-MOSFET von IXYS. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert.
– N-Kanal Depletion-MOSFET
– Hohe Spannungsfestigkeit: 1000 V Drain-Source-Spannung
– Hoher Dauerbetriebstrom: 10 A bei 25 °C
– Geringer On-Widerstand: 1,5 Ω bei 5 A, 10 V
– Schnelle Schaltgeschwindigkeit
– Geeignet für Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen
– Ideal für Hochspannungs- und Hochstrom-Leistungselektronik
– Robuste Bauweise mit hoher Zuverlässigkeit
– Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
– Einfache Ansteuerung und Integration in Energiesysteme
– Gehüllt in ein TO-247-3 Durchsteckgehäuse
– Tubenverpackung
– Unterstützt eine hohe Wärmeabfuhr von bis zu 695 W bei Tc
– Dieses Produkt ist derzeit aktiv und in Produktion
– Verfügbare gleichwertige oder alternative Modelle:
- IXTH10N100D1
- IXTH10N100D3
– Kunden können unser Verkaufsteam über die Website für weitere Informationen kontaktieren
– Wechselrichter
– Umrichter
– Motorantriebe
– Stromversorgungen
– Weitere Hochspannungs- und Hochstrom-Leistungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den IXTH10N100D2 steht auf unserer Website zum Download bereit. Für vollständige technische Details wird eine Download-Empfehlung gegeben.
Kunden wird empfohlen, direkt auf unserer Website ein Angebot für den IXTH10N100D2 anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, um mehr über das Produkt und unsere wettbewerbsfähigen Preise zu erfahren.
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IXTH10N100D2IXYS |
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