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| Artikelnummer: | IPB80N04S303ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1000+ | $1.6708 |
| 2000+ | $1.5873 |
| 5000+ | $1.5276 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 188W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB80N |
| IPB80N04S303ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB80N04S303ATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB80N04S303ATMA1
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten von Infineon Technologies. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen an.
Der IPB80N04S303ATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch geringe On-W Resistance und schnelle Schaltzeiten aus und ist somit ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen.
N-Kanal-MOSFET
Betriebsspannung bis zu 40 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 80 A (bei T_C)
Niedrige R_DS(on) von 3,2 mΩ bei 80 A, 10 V
Schnelle Schaltzeiten mit geringem Gate-Ladewert von 110 nC bei 10 V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C (T_J)
Oberflächenmontagegehäuse (TO-263-3, D2PAK)
Herausragende Energieeffizienz
Verbesserte Systemzuverlässigkeit
Kompaktes und platzsparendes Design
Eignet sich für vielfältige Strommanagementanwendungen
Reel & Tape Verpackung (TR)
Oberflächenmontagegehäuse TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper)
Gehäuseabmessungen: 10,16 x 6,50 x 2,30 mm
Dieses Produkt befindet sich im Last Purchase Status.
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Das offizielle Datenblatt für den IPB80N04S303ATMA1 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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