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| Artikelnummer: | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.0923 |
| 10+ | $5.2408 |
| 30+ | $4.7228 |
| 100+ | $4.2872 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 60 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB038 |
| IPB038N12N3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB038N12N3GATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB038N12N3GATMA1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon Technologies, einem führenden Hersteller von Leistungshalbleitern. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IPB038N12N3GATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Serie von Infineon. Er ist für eine Vielzahl von Stromversorgungs- und Leistungsmanagement-Anwendungen konzipiert, einschließlich Motorsteuerungen, Netzteile und industrielle Automatisierung.
120V Source-Drain-Spannung
120A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Maximaler On-Widerstand von 3,8 mΩ bei 100A und 10V Gate-Source-Spannung
Maximaler Gate-Ladung von 211 nC bei 10V Gate-Source-Spannung
Oberflächenmontagegehäuse (Surface-mount package)
Geringer On-Widerstand für hohe Effizienz
Hohe Strombelastbarkeit
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Optimal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Der IPB038N12N3GATMA1 ist in einem Surface-mount D2PAK (TO-263-3, 2 Anschlüsse + Kühlfahne) Gehäuse verpackt. Er wird in Rollen und Streifen geliefert.
Das Produkt ist aktiv verfügbar. Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, beispielsweise den IPB038N12N3G und IPB038N12N3GXKSA1. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Motorsteuerungen
Netzteile
Industrielle Automatisierung
Stromumwandlung
Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den IPB038N12N3GATMA1 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IPB038N12N3GATMA1 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von diesem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
INFINEO TO-263
IPB038N12N3 G Infineon Technologies
INF TO-263
IPB038N08N3G INF
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
INFINEON TO-263
INFINEON TO-263
IPB039N04LG VB
IPB038N12N3G INFINEO
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
IPB039N10N3G INFINEO
INFINEON TO-263
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IPB038N12N3GATMA1Infineon Technologies |
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