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| Artikelnummer: | IPB025N08N3GATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.595 |
| 200+ | $2.5528 |
| 500+ | $2.4632 |
| 1000+ | $2.4184 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB025 |
| IPB025N08N3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB025N08N3GATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB025N08N3GATMA1
Infineon Technologies
Der IPB025N08N3GATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon Technologies. Er ist für eine Vielzahl von Leistungsmanagement-Anwendungen konzipiert und bietet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V
Dauerbelastbarer Drain-Strom (Id) 120 A
Geringer On-Widerstand (Rds(on))
Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit
Optimiert für Effizienz und Zuverlässigkeit
Hervorragende Energieeffizienz
Hohe Strombelastbarkeit
Überlegene Schaltleistung
Robuster und zuverlässiger Betrieb
Eignet sich für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontagekomponente
Das IPB025N08N3GATMA1 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie zum Beispiel das IPB025N08N3 G. Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Telekommunikationsausrüstung
Industrielle Automatisierung
Fahrzeugsysteme
Das zuverlässigste Datenblatt für den IPB025N08N3GATMA1 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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INFINEON TO-263-7L
N-CHANNEL POWER MOSFET
INF TO-263
IPB025N08N3G INFINEO
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
VBSEMI TO263
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB025N10N3G INFINEO
IPB026N06N INFINEO
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IPB025N08N3GATMA1Infineon Technologies |
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