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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB024N08N5ATMA1 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IPB024N08N5ATMA1

Artikelnummer: IPB024N08N5ATMA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Datenblätte:
1.IPB024N08N5ATMA.pdf ···

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    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3
    Serie OptiMOS™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
    Verlustleistung (max) 214W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)
    Grundproduktnummer IPB024
    IPB024N08N5ATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPB024N08N5ATMA1 PDF - EN.pdf
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