Deutsch
| Artikelnummer: | IRGS4B60KD1TRRP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 11A, 600V, N CHANNEL |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 259+ | $1.0919 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Testbedingung | 400V, 4A, 100Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 22ns/100ns |
| Schaltenergie | 73µJ (on), 47µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 93 ns |
| Leistung - max | 63 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | NPT |
| Gate-Ladung | 12 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 22 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 11 A |
| Grundproduktnummer | IRGS4B60 |
| IRGS4B60KD1TRRP Einzelheiten PDF [English] | IRGS4B60KD1TRRP PDF - EN.pdf |




IRGS4B60KD1TRRP
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRGS4B60KD1TRRP ist ein einzelner Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) von Infineon Technologies, der für die Anwendung in der Leistungselektronik entwickelt wurde.
– NPT IGBT-Technologie
– Sperrspannung zwischen Collector und Emitter: 600V
– Maximeller Kollektorstrom: 11A
– Maximale Sättigungsspannung zwischen Collector und Emitter: 2,5V
– Maximale Leistung dissipation: 63W
– Einschalt- und Ausschaltenergie: 73μJ bzw. 47μJ
– An- und Ausschaltverzugszeiten: 22ns bzw. 100ns
– Reverse Recovery Time: 93ns
– Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C
– Oberflächenmontage im D2PAK-Gehäuse (TO-263-3) memoria
– Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
– Vielseitig einsetzbar in der Leistungselektronik
– Kompaktes und platzsparendes Oberflächenmontagegehäuse
Der IRGS4B60KD1TRRP ist in einem D2PAK-Gehäuse (TO-263-3) mit 2 Anschlussbeinen und einem Anschluss Tabs verpackt, das gute thermische und elektrische Eigenschaften bietet.
Der IRGS4B60KD1TRRP ist ein veraltetes Produkt. Kunden sollten sich an unser Verkaufsteam wenden, um Informationen zu vergleichbaren oder alternativen Modellen zu erhalten.
– Netzteile
– Motorsteuerungen
– Wechselrichter
– Schweißgeräte
– Industrielle Automatisierung
Das aktuellste Datenblatt für den IRGS4B60KD1TRRP ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Webseite Angebote für den IRGS4B60KD1TRRP anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IR TO263
IGBT 600V D2PAK-3
IRGS4B60KD1 IR
IGBT 600V 11A 63W D2PAK
IGBT 11A, 600V, N CHANNEL
IRGS4B60K IR
IGBT 600V 11A 63W D2PAK
IRGS6B60KDPBF. IR
IR TO-263
DIODE 600V 24A D2PAK
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
IGBT WITH RECOVERY DIODE
DIODE 600V 40A D2PAK
IRGS6B60KD IR
IGBT 650V D2-PAK
IR TO-263
IGBT 650V D2-PAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/4
2025/02/23
2024/05/16
2024/06/14
IRGS4B60KD1TRRPInternational Rectifier |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|