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| Artikelnummer: | IRFS31N20DTRRP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2370 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
| IRFS31N20DTRRP Einzelheiten PDF [English] | IRFS31N20DTRRP PDF - EN.pdf |




IRFS31N20DTRRP
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Der IRFS31N20DTRRP ist ein N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung (Vdss) von 200V und einen konstanten Drain-Strom (Id) von 31A bei 25°C.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 200V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 31A bei 25°C
HEXFET®-Serie
Hochleistungs-MOSFET für verschiedene Leistungsanwendungen
Ausgezeichnete thermische und elektrische Eigenschaften
Zuverlässig und langlebig
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontage
Dieses Produkt wurde bei Digi-Key eingestellt. Es sind jedoch vergleichbare oder alternative Modelle verfügbar. Kunden werden gebeten, unseren Vertrieb per Website für weitere Informationen zu kontaktieren.
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Industrieautomation
Wechselrichter
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