Deutsch
| Artikelnummer: | IRFR120 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4514 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 4.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.7A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFR120 |
| IRFR120 Einzelheiten PDF [English] | IRFR120 PDF - EN.pdf |




IRFR120
Vishay ist ein vertrauenswürdiger Hersteller, und Y-IC ist ein Qualitätsvertrieb für Vishay-Produkte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRFR120 ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem Dauer-Drain-Strom von 7,7 A bei 25 °C Gehäusetemperatur.
N-Kanal-MOSFET-Transistor
Drain-Source-Spannung von 100 V
Dauer-Drain-Strom von 7,7 A bei 25 °C Gehäusetemperatur
On-Widerstand von 270 mΩ bei 4,6 A, 10 V
Gate-Threshold-Spannung von 4 V bei 250 µA
Gate-Ladung von 16 nC bei 10 V
Eingangskapazität von 360 pF bei 25 V
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effizienten Leistungsschalterbetrieb
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungssteuerungsund Schaltanwendungen
Der IRFR120 ist in einem DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontages Gehäuse mit 2 Anschlüssen und einer Anschlusslasche verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit.
Der IRFR120 ist ein auslaufendes Produkt, jedoch sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Kunden sollten sich für weitere Informationen zu verfügbaren Optionen an unser Verkaufsteam über unsere Webseite wenden.
Netzteile
Motorsteuerung
Lichtsteuerung
Industrielle Automatisierung
Fahrzeugtechnik
Das wichtigste technische Datenblatt für den IRFR120 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 250V DPAK
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRFR1205NTRPBF I
I D-PAK
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IR TO-252
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IR SOT252
MOSFET N-CH 250V DPAK
HEXFET POWER MOSFET
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
I D-PAK
8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/06/18
2025/01/25
2025/02/28
2024/10/30
IRFR120Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|