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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFBE30
Vishay Siliconix
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Vishay Siliconix IRFBE30

Artikelnummer: IRFBE30
Hersteller / Marke: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Datenblätte:
1.IRFBE30.pdf ···

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Datenblätter

IRFBE30, SiHFBE30.pdf

IRFBE30 Seite PDF

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  • Versandinformationen
  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Vishay Siliconix IRFBE30 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix IRFBE30 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
    Verlustleistung (max) 125W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-220-3
    Paket Tube
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Tc)
    Grundproduktnummer IRFBE30
    IRFBE30 Einzelheiten PDF [English] IRFBE30 PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
    Wie man kauft
    Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
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    Wenn Sie auf Probleme stoßen, wenden Sie sich gerne an unser Kundendienstteam, um Unterstützung zu erhalten.
    Zahlung
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    - Western Union
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  • Lieferzeit
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    Sobald die Komponenten geliefert werden, wird Ihnen die Tracking -Nummer sofort per E -Mail gesendet. Sie können auch die Tracking -Nummer in Ihrem Bestellhistorium finden.
    Versandrate
    Die Versandraten werden nach Größe, Gewicht und Ziel des Pakets bestimmt.YIC bietet wettbewerbsfähige Versandoptionen durch führende Fluggesellschaften wie DHL, FedEx und UPS.Darüber hinaus bieten wir Kunden die Möglichkeit, ihre eigenen Versandkonten für eine direkte Abrechnung zu verwenden.

  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

IRFBE30 Produktdetails

Herstellerteilenummer

IRFBE30

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Vishay-Produkte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der IRFBE30 ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor von Vishay. Er zeichnet sich durch eine hohe Drain-Source-Spannung von 800 V und einen konstanten Drain-Strom von 4,1 A bei 25 °C aus.

Schlüsselmerkmale

– N-Kanal-MOSFET

– Drain-Source-Spannung von 800 V

– Kontinuierlicher Drain-Strom von 4,1 A bei 25 °C

– Gate-Spannung von 10 V

– On-Widerstand von 3Ω bei 2,5 A und 10 V

Wichtigste Vorteile

– Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit

– Geringer On-Widerstand für effiziente Leistungsumschaltung

– Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen

Verpackung

Der IRFBE30 ist in einem TO-220AB-Signaturgehäuse verbaut. Das Gehäuse verfügt über 3 Pins, besteht aus Kunststoff und ist für die thermische management sowie elektrische Anforderungen bei Hochleistungsanwendungen ausgelegt.

Lebenszyklus

Der IRFBE30 ist ein veraltetes Produkt. Kunden sollten sich an unser Vertriebsteam auf unserer Website wenden, um Informationen zu kompatiblen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Schaltnetzteile

– Motorsteuerungen

– Wechselrichter

– Hochspannungsstromwandlung

Datenblatt

Das aktuellste Datenblatt für den IRFBE30 ist auf unserer Website verfügbar. Es wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den IRFBE30 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Angebot.

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Benutzerbewertung

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    2026/03/31

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    2026/03/23

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    2026/03/20

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