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| Artikelnummer: | IRF9Z24STRR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF9 |
| IRF9Z24STRR Einzelheiten PDF [English] | IRF9Z24STRR PDF - EN.pdf |




IRF9Z24STRR
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P-Kanal 60V 11A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontierter D2PAK-Schalttransistor.
P-Kanal MOSFET
60V Drain-Source-Spannung
11A Dauer-Drain-Strom (Tc)
3,7W Leistungsaufnahme (Ta), 60W (Tc)
Oberflächenmontierter D2PAK-Gehäusetyp
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand
Geeignet für Hochleistungs-Schaltanwendungen
Trommelverpackung (Tape & Reel)
TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Tab), TO-263AB-Gehäuse
D2PAK-Gehäusetyp
Thermische und elektrische Eigenschaften geeignet für Leistungsanwendungen
Dieses Produkt befindet sich nicht in Kürze im Auslauf
Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich, bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
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Zielpreis (USD)
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