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| Artikelnummer: | IRF7807D1TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.3A (Ta) |
| IRF7807D1TR Einzelheiten PDF [English] | IRF7807D1TR PDF - EN.pdf |




IRF7807D1TR
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Der IRF7807D1TR ist ein N-Kanal-MOSFET mit Schottky-Diode. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 30V, einen Dauer-Drain-Strom von 8,3A und einen maximalen Röntwiderstand von 25mΩ.
N-Kanal-MOSFET
Schottky-Diode
30V Drain-Source-Spannung
8,3A Dauer-Drain-Strom
Maximaler Röntwiderstand von 25mΩ
Hohe Effizienz und geringer Energieverlust
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ideal fu00fcr verschiedene Leistungsanwendungen
8-SOIC-Gehu00e4use (0,154
Der IRF7807D1TR ist ein veraltetes Produkt
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfu00fcgbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam u00fcber unsere Webseite fu00fcr weitere Informationen
Schaltende Netzteile
Motorsteuerungen
Leistungsverstu00e4rker
Allgemeine Energiemanagementanwendungen
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