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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7379TR
Infineon Technologies
IRF7379TR Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IRF7379TR

Artikelnummer: IRF7379TR
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Datenblätte:
1.IRF7379TR.pdf ···

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IRF7379TR Seite PDF

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  • Spezifikationen
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  • Versandinformationen
  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Infineon Technologies IRF7379TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies IRF7379TR .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse 8-SO
    Serie HEXFET®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V
    Leistung - max 2.5W
    Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
    FET-Merkmal -
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A, 4.3A
    Konfiguration N and P-Channel
    Grundproduktnummer IRF737
    IRF7379TR Einzelheiten PDF [English] IRF7379TR PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
    Wie man kauft
    Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
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    Wenn Sie auf Probleme stoßen, wenden Sie sich gerne an unser Kundendienstteam, um Unterstützung zu erhalten.
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  • Lieferzeit
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    Versandverfolgung
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    Versandrate
    Die Versandraten werden nach Größe, Gewicht und Ziel des Pakets bestimmt.YIC bietet wettbewerbsfähige Versandoptionen durch führende Fluggesellschaften wie DHL, FedEx und UPS.Darüber hinaus bieten wir Kunden die Möglichkeit, ihre eigenen Versandkonten für eine direkte Abrechnung zu verwenden.

  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

IRF7379TR Produktdetails

Herstellerteilenummer

IRF7379TR

Hersteller

Infineon Technologies ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, und Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Infineon-Produkten. Kunden können darauf vertrauen, die besten Produkte und Dienstleistungen von Y-IC zu erhalten.

Detaillierte Beschreibung

Der IRF7379TR ist ein dualer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Array in einem 8-SOIC-Gehäuse. Er gehört zur HEXFET®-Serie von Infineon und zeichnet sich durch fortschrittliche MOSFET-Technologie aus.

Schlüsselmerkmale

Duale N-Kanalund P-Kanal-MOSFET-Konfiguration

30 V Drain-Source-Spannung (Vdss)

5,8 A und 4,3 A Dauer-Drainstrom (Id) bei 25 °C

Geringer On-Widerstand (Rds(on)) von 45 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung (Vgs)

Schwellenwertspannung (Vgs(th)) von 1 V bei 250 μA Drainstrom

Gate-Ladung (Qg) von 25 nC bei 10 V Gate-Source-Spannung

Eingangskapazität (Ciss) von 520 pF bei 25 V Drain-Source-Spannung

Maximale Verlustleistung von 2,5 W

Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C

Wichtigste Vorteile

Kompaktes Dual-MOSFET-Design spart Leiterplattenplatz

Geringer On-Widerstand und niedrige Gate-Ladung verbessern die Effizienz

Breiter Betriebstemperaturbereich für vielfältige Anwendungen

Zuverlässige und robuste Leistung

Verpackung

Der IRF7379TR ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154", 3,90 mm Breite) Surface-Mount-Device verpackt. Das Gehäuse bietet geeignete thermische und elektrische Eigenschaften für den Einsatz.

Lebenszyklus

Der IRF7379TR ist ein veraltetes Produkt und wird nicht mehr produziert. Es können jedoch gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Kunden werden gebeten, das Vertriebsteam von Y-IC für weitere Informationen zu kontaktieren.

Schlüsselanwendungsbereiche

Netzteile

Motorsteuerung

Schaltregler

Allgemeine Schaltanwendungen

Datenblatt

Das aktuellste und umfassendste Datenblatt für den IRF7379TR steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden wird empfohlen, Angebote für den IRF7379TR und andere Infineon-Produkte auf der Y-IC-Website anzufordern. Klicken Sie auf den Button 'Anfrage stellen', um den Prozess zu starten und von diesem limitierten Angebot zu profitieren.

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Benutzerbewertung

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    2026/03/31

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    2026/03/23

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    2026/03/20

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