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| Artikelnummer: | IRF6775MTR1PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MZ |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 5.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MZ |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1411 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
| IRF6775MTR1PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6775MTR1PBF PDF - EN.pdf |




IRF6775MTR1PBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon Technologies, einem führenden Hersteller von Leistungshalbleitern. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6775MTR1PBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Stromtragfähigkeit aus und ist somit für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Leistungs- energiemanagement geeignet.
N-Kanal-MOSFET
HEXFET®-Serie
150 V Drain-Source-Spannung
4,9 A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Maximaler On-Widerstand von 56 mΩ
Maximaler Gate-Ladung von 36 nC
Hervorragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand
Robustes Design und hohe Zuverlässigkeit
Geeignet für verschiedenste Anwendungen im Bereich des Leistungsmangements
Der IRF6775MTR1PBF ist in einem DirectFET™ MZ Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet überlegene thermische und elektrische Eigenschaften, einschließlich hoher Leistungsverdampfung und geringer Gehäuseinduktivität.
Der IRF6775MTR1PBF ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu verfügbaren Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Schaltende Netzteile
Motorantriebe
Leistungsinverter
Industrieund Automotive-Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRF6775MTR1PBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem limitierten Sonderangebot zu profitieren.
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