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| Artikelnummer: | IRF6712STRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IRF6712 - 12V-300V N-CHANNEL POW |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.5055 |
| 200+ | $0.5835 |
| 500+ | $0.563 |
| 1000+ | $0.5527 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ SQ |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 17A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric SQ |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 13 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Ta), 68A (Tc) |
| IRF6712STRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6712STRPBF PDF - EN.pdf |




IRF6712STRPBF
Infineon Technologies - Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6712STRPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem DirectFET™ SQ-Gehäuse von Infineon Technologies.
N-Kanal-MOSFET
25V Drain-Source-Spannung
17A Dauer-Drain-Strom (Ta), 68A (Tc)
Maximaler On-Widerstand von 4,9 mΩ bei 10V Gate-Spannung
Maximaler Gate-Ladung von 18 nC bei 4,5V Gate-Spannung
Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C
Kompaktes DirectFET™ SQ-Gehäuse für hohe Packungsdichte
Geringer On-Widerstand für verbesserte Energieeffizienz
Schnelles Schalten für Hochfrequenzanwendungen
Weitreichender Betriebstemperaturbereich
DirectFET™ SQ-Gehäuse
SMD-Gehäuse
Thermische und elektrische Leistung optimiert für hohe Leistungsdichte
Dieses Produkt ist veraltet.
Ersatzoder Alternativmodelle sind verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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Das offiziellste Datenblatt für den IRF6712STRPBF ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
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Zielpreis (USD)
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