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| Artikelnummer: | IRF6710S2TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DirectFET™ Isometric S1 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric S1 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 13 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
| IRF6710S2TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6710S2TRPBF PDF - EN.pdf |




IRF6710S2TRPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Händler für Produkte von Infineon Technologies (ehemals International Rectifier). Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRF6710S2TRPBF ist ein N-Kanal MOSFET in der DirectFET S1 Verpackung. Er überzeugt durch hohe Leistungsdichte und herausragende thermische Eigenschaften.
– N-Kanal MOSFET
– DirectFET S1 Gehäuse
– Hohe Leistungsdichte
– Überlegene thermische Performance
– Kompaktes und effizientes Energiemanagement
– Hervorragende Wärmeableitung
– Zuverlässige und langlebige Leistung
Verpackung: DirectFET S1
Verpackungstyp: Tape & Reel (TR)
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsaufnahme 1,8 W (Ta), 15 W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V, Dauerstrom (Id) bei 25°C 12 A (Ta), 37 A (Tc), Rds On (Max) bei Id, Vgs 5,9 mOhm bei 12 A, 10 V, Vgs(th) (Max) bei Id 2,4 V bei 25 A, Gate-Source-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs 13 nC bei 4,5 V, Eingangs-Kapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1190 pF bei 13 V
Der IRF6710S2TRPBF ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, jedoch sollten Kunden unser Verkaufsteam auf der Webseite für detaillierte Informationen kontaktieren.
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Das offizielle Datenblatt für den IRF6710S2TRPBF steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Für Preisangebote besuchen Sie bitte unsere Webseite. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt unter [Webseiten-URL].
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