Deutsch
| Artikelnummer: | IRF6655TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | 100V 19A DIRECTFET-MV |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.592 |
| 200+ | $0.2292 |
| 500+ | $0.222 |
| 1000+ | $0.2177 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 25µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ SH |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric SH |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| IRF6655TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6655TRPBF PDF - EN.pdf |




IRF6655TRPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von Infineon Technologies (ehemals International Rectifier) und bietet Kunden erstklassige Produkte und Serviceleistungen.
Der IRF6655TRPBF ist ein MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) im DirectFET Isometrisch SH Gehäuse. Es handelt sich um ein Hochleistungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET, das für Hochfrequenz- und Hochleistungs-Schaltanwendungen optimiert wurde.
N-Kanal MOSFET
100 V Drain-Source-Spannung (V_dss)
4,2 A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
62 mOhm On-Widerstand (R_ds(on)) bei 5 A, 10 V
11,7 nC Gate-Ladung (Q_g) bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Verringerte Umschaltverluste
Verbesserte Wärmeverwaltung
Kompaktes und platzsparendes Gehäuse
Gehäuse: Tape & Reel (TR)
Umschließung: DirectFET Isometrisch SH
Thermische Eigenschaften: 2,2 W Verlustleistung bei Ta, 42 W Verlustleistung bei Tc
Elektrische Eigenschaften: 10 V Ansteuerspannung, ±20 V Gate-Source-Spannung (V_gs)
Das IRF6655TRPBF ist ein aktives Produkt; es sind derzeit keine bekannten gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar.
Für die aktuellsten Produktinformationen oder Verfügbarkeitsanfragen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam über die Y-IC Website.
Hochfrequenz-, Hochleistungs-Schaltanwendungen
Netzteile
Motordrives
Industrielle und automotive Elektronik
Das offiziellste Datenblatt für den IRF6655TRPBF ist auf der Y-IC Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, auf der Y-IC Website Angebote für den IRF6655TRPBF einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und der Verfügbarkeit zu profitieren.
IR New
IR DirectFET
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IRF6665TR IOR
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
IR SMD
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IR DIRECTFET
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
IR SMD
IR SMD
IR New
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IRF6655TR1PBF. IR
IRF6662TR IR
IRF665A IR
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/27
2024/11/13
2025/06/24
2025/04/26
IRF6655TRPBFInternational Rectifier |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|