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| Artikelnummer: | IRF6618 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MT |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MT |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5640 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 170A (Tc) |
| IRF6618 Einzelheiten PDF [English] | IRF6618 PDF - EN.pdf |




IRF6618
Y-IC ist ein Qualitätsvertrieb von Infineon Technologies, einem führenden Hersteller von Leistungshalbleitern. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6618 ist ein N-Kanal-LeistungsschmalmosfET in einem DirectFET™ MT Gehäuse. Er gehört zur HEXFET®-Serie und ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen im Leistungsbereich konzipiert.
N-Kanal-LeistungsschmalmosfET
HEXFET®-Serie
DirectFET™ MT Gehäuse
30V Drain-Source-Spannung
30A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 2,2 mΩ bei 30A, 10V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
Kompaktes und raumsparendes DirectFET™ MT Gehäuse
Effiziente Leistungsverarbeitung und geringe Leistungsaufnahme
Zuverlässige und robuste Leistung
Geeignet für eine Vielzahl hochleistungsfähiger Schaltanwendungen im Leistungsbereich
Der IRF6618 ist in einem DirectFET™ MT Gehäuse verpackt, einem Oberflächenmontagegehäuse, das für hohe Leistungsdichte und thermische Effizienz ausgelegt ist. Das Gehäuse zeichnet sich durch ein kompaktes und integriertes Design aus, das eine effiziente Wärmeabfuhr und hohe Leistungsfähigkeit ermöglicht.
Der IRF6618 ist derzeit ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch gleichwertige und alternative Modelle erhältlich, wie zum Beispiel der IRF6620 und IRL6244. Kunden werden gebeten, unser Vertriebsteam auf der Website für weitere Informationen zu kontaktieren.
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Das zuverlässigste Datenblatt für den IRF6618 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRF6618 oder seine gleichwertigen Modelle auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
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