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| Artikelnummer: | IRF6617TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IRF6617 - 12V-300V N-CHANNEL POW |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.4456 |
| 10+ | $2.9644 |
| 30+ | $2.678 |
| 100+ | $2.2813 |
| 500+ | $2.1467 |
| 1000+ | $2.0866 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ ST |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric ST |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Ta), 55A (Tc) |
| IRF6617TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6617TRPBF PDF - EN.pdf |




IRF6617TRPBF
Infineon Technologies - Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6617TRPBF ist ein N-Kanal-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) in einem DirectFET™ ST-Gehäuse. Er gehört zur HEXFET®-Serie und bietet eine Drain-Source-Spannung von 30 V sowie einen Dauer-Drain-Strom von 14A (Ta) oder 55A (Tc).
N-Kanal-MOSFET
DirectFET™ ST-Gehäuse
HEXFET®-Serie
30 V Drain-Source-Spannung
14A (Ta) oder 55A (Tc) Dauer-Drain-Strom
Kompakte und effiziente Leistungsmanagement
Hohe Strombelastbarkeit
Hervorragende thermische Leistung
DirectFET™ ST-Gehäuse
Oberflächenmontage
Thermische und elektrische Eigenschaften für effizientes Energiemanagement optimiert
Der IRF6617TRPBF ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam über die Webseite für Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu kontaktieren.
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Das maßgebliche Datenblatt für den IRF6617TRPBF steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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IRF6617TRPBF. IR
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IRF6617 IR
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