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| Artikelnummer: | IRF6613TR1PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MT |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 23A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MT |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5950 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A (Ta), 150A (Tc) |
| IRF6613TR1PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6613TR1PBF PDF - EN.pdf |




IRF6613TR1PBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6613TR1PBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies, der in einem DirectFET™ MT Gehäuse untergebracht ist.
N-Kanal-MOSFET
HEXFET® Serie
DirectFET™ MT Gehäuse
Geringer On-Widerstand für hohe Effizienz
Hohe Strombelastbarkeit
Kompaktes DirectFET™ MT Gehäuse
Gehäusetyp: DirectFET™ Isometric MT
Anschlusskonfiguration: Oberflächenmontage
Der IRF6613TR1PBF ist ein veraltetes Produkt.
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