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| Artikelnummer: | IRF3515STRLPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 10V |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Cut Tape (CT) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 41A (Tc) |
| IRF3515STRLPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF3515STRLPBF PDF - EN.pdf |




IRF3515STRLPBF
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Der IRF3515STRLPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse. Er wurde für Hochfrequenz- und Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, D2PAK-Gehäuse, Hochfrequenz- und Hochstrom-Schaltfähigkeit
Geringer On-Widerstand für hohe Effizienz, schnelles Schaltverhalten, hohe Leistungsfähigkeit, zuverlässiges und robustes Design
Verpackungstyp: Digi-Reel, Gehäuse: Digi-Reel, Gehäusetyp: D2PAK mit 2 Anschlüssen und einer Verbindung
Dieses Produkt ist nicht von einer Einstellung des Produktprogramms bedroht. Derzeit sind keine equivalenten oder alternativen Modelle verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
Hochfrequenz- und Hochstromanwendungen, Netzteile, Motorantriebe, Automotive-Elektronik, Industrieautomation
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