Deutsch
| Artikelnummer: | IRF2907ZSPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1401 |
| 200+ | $0.4414 |
| 500+ | $0.4268 |
| 1000+ | $0.418 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
| IRF2907ZSPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF2907ZSPBF PDF - EN.pdf |




IRF2907ZSPBF
Infineon Technologies ist ein hochwertiger Hersteller der HEXFET®-Produktreihe. Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Vertriebspartner für Infineon-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF2907ZSPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistung-MOSFET in D2PAK-Gehäuse. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Schalt- und Steuerungsanwendungen im Bereich Leistungselektronik konzipiert und bietet hohe Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit.
N-Kanal MOSFET
75V Drain-Source-Spannung
160A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 4,5 mΩ
Maximale Gate-Ladung von 270 nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Hohe Schaltgeschwindigkeit
Geringer On-Widerstand
Robuste und zuverlässige Funktion
Der IRF2907ZSPBF ist in einem D2PAK-Gehäuse (TO-263-3) für die Oberflächenmontage verpackt, welches hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften bietet.
Der IRF2907ZSPBF wurde bei Digi-Key eingestellt. Allerdings sind gleichwertige und alternative Modelle wie der IRF2907Z und IRF2908Z erhältlich. Kunden werden empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Verkaufsteam auf der Website zu wenden.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Servosysteme
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das autoritative Datenblatt für den IRF2907ZSPBF steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Website Angebote für den IRF2907ZSPBF anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren!
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
SUNTAL TO-220F
IRF2907ZSTRPBF IR
IRF2907ZS-7PTRRPBF IR
IR TO-263-7
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IR TO-220
IR TO-263
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
IRF2907ZS IR
IRF2907ZSTRPBF. IR
IR TO-263
IRF2907ZS-7PTPLPBF IR
IRF2907ZSTRL7PP IR
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IR D2-PAK
INFINEON TO252
IRF2907ZS-7P IR
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
IRF2907ZS-7PPBF. IR
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
IRF2907ZSPBFInternational Rectifier |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|