Deutsch
| Artikelnummer: | IRF2907ZPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.012 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF2907 |
| IRF2907ZPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF2907ZPBF PDF - EN.pdf |




IRF2907ZPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Händler von Produkten der Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen an.
Der IRF2907ZPBF ist ein N-Kanal MOSFET aus der HEXFET®-Serie, hergestellt von Infineon Technologies. Er richtet sich an Hochleistungs- und Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen.
75 V Drain-Source-Spannung
160 A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 4,5 mΩ
Maximaler Gate-Ladung von 270 nC
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Hervorragende Hochfrequenzund Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Effizientes Energiemanagement und hohe Wirkungsgrade bei der Stromwandlung
Verpackt in einem TO-220AB Durchsteckgehäuse
Geeignet für thermisches Management und elektrische Verbindung
Dieses Produkt wird für neue Entwicklungsprojekte nicht empfohlen
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich; kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen
Hochleistungsund Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen
Netzteile, Motorsteuerungen und Industriesteuerungssysteme
Das umfassendste Datenblatt für den IRF2907ZPBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
IR TO-263
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IRF2907ZS-7PTRRPBF IR
IR TO-263
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IR TO-263
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IRF2907ZS-7PPBF. IR
IRF2907ZS-7P IR
IR TO-220
IRF2907ZS-7PTPLPBF IR
IRF2907Z IR
IR D2-PAK
IRF2903ZS IR
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IRF2907ZS IR
IR TO-220
MOSFET N-CH 75V 160A TO262
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/04/4
2025/01/21
2025/02/10
2024/06/14
IRF2907ZPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|