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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF1902PBF
Infineon Technologies
IRF1902PBF Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IRF1902PBF

Artikelnummer: IRF1902PBF
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Datenblätte:
1.IRF1902PBF.pdf ···

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  • Infineon Technologies IRF1902PBF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies IRF1902PBF .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
    Vgs (Max) ±12V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse 8-SO
    Serie HEXFET®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V
    Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)
    Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Paket Tube
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta)
    IRF1902PBF Einzelheiten PDF [English] IRF1902PBF PDF - EN.pdf
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    2026/03/23

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    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

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    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

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