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| Artikelnummer: | IR21824S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Supplier Device-Gehäuse | 14-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 40ns, 20ns |
| Verpackung / Gehäuse | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 1.9A, 2.3A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | IR21824 |
| IR21824S Einzelheiten PDF [English] | IR21824S PDF - EN.pdf |




IR21824S
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Infineon Technologies, einem führenden Hersteller von Leistungselektronik- und Halbleiterlösungen. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IR21824S ist ein Hochgeschwindigkeits- und Hochspannungs-Gatttreiber, der für die Ansteuerung von IGBT- und N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltern in Halbwellenbrücken-Konfigurationen entwickelt wurde. Er verfügt über unabhängige Gate-Treiberkanäle, Spitzenbelastungsströme von bis zu 1,9A im Quellen- sowie 2,3A im Senkenbetrieb und einen Spannungsbereich von 10V bis 20V.
Halbwellenbrücken-Konfiguration
Unabhängige Gate-Treiberkanäle
Spitzenbelastungsströme bis zu 1,9A im Quellenund 2,3A im Senkenbetrieb
Betriebs spannungsbereich von 10V bis 20V
Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit typischen Anstiegs-/Abfallzeiten von 40ns bzw. 20ns
Großer Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
Effiziente und zuverlässige Gate-Ansteuerung für IGBTund MOSFET-Leistungsschalter
Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsund Hochleistungs-Schaltanwendungen
Flexible Konfigurationsmöglichkeiten für verschiedene Halbwellenbrücken-Topologien
Robuste thermische und elektrische Leistungsfähigkeit
Oberflächenmontierter 14-SOIC-Gehäuse (0,154" / 3,90mm Breite)
Geeignet für Handhabung und Montage mittels Standard-SMT-Prozessen
Das IR21824S ist ein veraltetes Produkt und befindet sich nicht mehr in aktiver Produktion.
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle von Infineon Technologies oder anderen Herstellern erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
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Motorenantriebe
Wechselrichter
Industrielle Automatisierungsund Steuersysteme
Das offizielle Datenblatt für den IR21824S ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Designhinweise zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den IR21824S auf unserer Webseite an. Erhalten Sie Informationen zu Preisen und Verfügbarkeit.
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